北京東方中科集成科技股份有限公司受邀參加了2015年8月25日-28日在成都舉辦的第十一屆全國分子束外延（MBE）學術會議本次會議由上海技術物理研究所紅外國家重點實驗室承辦的。MBE技術的問世，使原子、分子數量級厚度的外延生長得以實現，開拓了能帶工程這一新的半導體領域。分子束外延技術的發展，推動了以GaAs為主的III-V族半導體及其它多元多層異質材料的生長，大大地促進了新型微電子技術領域的發展，造就了GaAs IC、GeSi異質晶體管及其集成電路以及各種超晶格新型器件。特別是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以這些器件為主設計和制作的集成電路）和紅外及其它光電器件，在軍事應用中有著極其重要的意義。GaAs MIMIC（微波毫米波單片電路）和GaAs VHSIC（超高速集成電路）將在新型相控陣雷達、陣列化電子戰設備、靈巧武器和超高速信號處理、軍用計算機等方面起著重要的作用。

東方集成作為國內領先的電子測試測量綜合服務商，攜Sentech，Tektronix，Keithley等國際知名廠商帶來了最新的薄膜測試及等離子工藝設備（ICP，RIE，PECVD）半導體器件參數量化及測試系統。會議期間與來自國內外MBE 的專家們進行了熱烈的交流和探討！