此組圖是我公司于2002年為清華大學從臺灣富士康進口的納米實驗用工作系統。該系統可在硅基底上制備氧化物、氮化物厚膜，在雙頻輔助下，可以大大提高沉積速率，達到每分鐘25納米。因此可用來制備微米及毫米厚度的絕緣層，其致密性，均勻性及附著性依然很好。此系統中還包含了一臺復合機型，由離子偶合等離子體刻蝕及雙頻反應離子刻蝕機組成，目前國內尚無同類產品。這兩種刻蝕方式的特點都是刻蝕速度快，可以達到每分鐘刻蝕450納米的速度。其中Helicon主要適合于刻蝕進行硅的深刻蝕，而DFR則適用于氧化硅和氮化硅的深刻蝕。利用Helicon-雙頻刻蝕系統，可以幫助制備一些三維的納米結構，從而構筑更加豐富的納米器件。這套系統可在硅基底上制備多種金屬薄膜，薄膜厚度可以為幾個納米，利用此套系統在硅基底上沉積金屬催化劑薄層，可被用來制備納米材料。特別是蒸發鍍膜系統制備的薄膜和蒸發源的方向相關，臺階陡直，后續的光刻過程可以直接采用駁離方法，無須刻蝕工藝。其中刻蝕機刻蝕速率慢，可以對刻蝕層的厚度進行精確控制，有利于對很薄（幾納米或幾十納米厚）的金屬、光刻膠、氧化硅、氮化硅薄膜進行刻蝕，制備納米器件所需的各種圖形，開展納米電子學的基礎研究。